IRFB3407ZPBF Precios (USD) [93142pcs Stock]
- 1 pcs$0.41980
- 1,000 pcs$0.34064
- Numero de parte:
- IRFB3407ZPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descripción detallada:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-220.
- Plazo de entrega estándar del fabricante:
- En stock
- Duracion:
- Un año
- Chip de:
- Hong Kong
- RoHS:
- Método de pago:
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- Forma de envío:
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IRFB3407ZPBF Atributos del producto
Numero de parte :
IRFB3407ZPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
Serie :
HEXFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.4 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
4750pF @ 50V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-220AB
Paquete / Caja :
TO-220-3
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